УМУМИЙ ЭМИТТЕР СХЕМАСИ БЎЙИЧА ЙИҒИЛГАН БИПОЛЯР ТРАНЗИСТОРЛИ КУЧАЙТИРГИЧ КАСКАДИНИ ҲИСОБЛАШИшнинг мақсади: умумий эмиттер схемаси бўйича йиғилган 2N2369A биполяр транзисторининг кучайтиргич каскадларини техник параметрларини ҳисоблаш ва ўлчаш бўйича амалий кўникмаларни мустаҳкамлаш. Вариантлар ва дастлабки маълумотлар:ВариантларТранзистор туриБаза сокинтоки Iбп, мкАМанба кучланиши Ек, ВКоллектор қаршилиги Rк, ОмКучайтиргичнинг қуйи чегаравий частотаси fН, Гц32N2369A505500150 1. 2N2369Aтранзисторининг параметрлариниҳисоблаш1.1 УЭ схемаси асосида 2N2369A транзисторининг кириш ва чиқиш статик характеристикаларининг графигини тузиш.УЭ схемасига асосида 2N2369Aтранзисторининг кириш характеристикалари яъни Uкэ = 0 В ва Uкэ = 10 В бўлганида Iб = f(Uбэ) боғлиқлик оиласи графигини тузиш.Транзисторнинг параметрларини аниқлаш учун схема йиғилади.1- расм 1- расм. Транзисторнинг кириш характеристикалари оиласини аниқлаш Аниқланган IБ ва UБЭ қийматларини 1- жадвалга киритамиз. Бу қийматлар асосида 2N2369A транзисторининг кириш характеристикалари оиласи графигини тузамиз.